В Национальном исследовательском ядерном университете МИФИ создали наногетероструктуры, которые позволяют ускорить работу высокочастотных микросхем.
Работы проводились совместно со специалистами Института физики металлов СО РАН. Полученная наногетероструктура - слоистый материал из полупроводников с современным "квантовым дизайном", позволяющим устанавливать необходимые свойства.
Как отмечает РИА Новости, для повышения быстродействия электроники необходимо было увеличить содержание индия в токоведущем слое. Эта задача осложнялась в связи с механическим напряжением кристаллической решетки у прилежащих слоев, однако российские ученые создали специальный переходный слой, благодаря которому содержание индия в активном слое удалось повысить почти до 100% с минимумом механических напряжений.
"Это, в первую очередь, фундаментальное исследование. Однако мы видим и потенциал его прикладного применения. Он обусловлен, прежде всего, тем, что подобные структуры имеют высокую подвижность электронов и обеспечивают высокие (до 200 ГГц) частоты работы транзисторов и микросхем", - пояснил доцент кафедры физики конденсированных сред НИЯУ МИФИ Иван Васильевский.
