Российские ученые провели испытания нового материала, который в дальнейшем может стать основой для создания нейрокомпьютера, передает РИА Новости.
Материал был разработан специалистами кафедры физики твердого тела и наносистем Института лазерных технологий НИЯУ МИФИ и учеными из Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН.
Биполярный эффект резистивных переключений материала планируется использовать для создания двухтерминальных, энергонезависимых ячеек памяти и мемристоров. Благодаря этому возможна реализация мемкомпьютинга - способа работы с информацией, когда одни и те же ячейки отвечают за оперативную и постоянную память.
Как сообщал Ruposters, ранее в России успешно разработали технологию создания прозрачного материала на основе алюминия.
